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IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2文章源自公式库网-https://www.gongshiku.com/html/201910/changxiaoyingguanhuanchongqupianchayijianzaixianjisuanqi.html
RS= VRS/IDS文章源自公式库网-https://www.gongshiku.com/html/201910/changxiaoyingguanhuanchongqupianchayijianzaixianjisuanqi.html
VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。文章源自公式库网-https://www.gongshiku.com/html/201910/changxiaoyingguanhuanchongqupianchayijianzaixianjisuanqi.html
🔌 JFET 场效应管缓冲区偏置计算器
N沟道共漏放大器 · Shockley 方程 · 源极电阻
N沟道 JFET 缓冲器（共漏极 / 源极跟随器）：
VDD → 漏极(D) | 栅极(G) → GND（通过偏置电阻）
源极(S) → RS → GND | 输出从源极取出
VGS = −VRS（自偏置，栅极直流接地，源极电压即反向偏置）
VDD → 漏极(D) | 栅极(G) → GND（通过偏置电阻）
源极(S) → RS → GND | 输出从源极取出
VGS = −VRS（自偏置，栅极直流接地，源极电压即反向偏置）
V
V（须 < |Vp|，否则 JFET 截止）
V（负值，查手册，如 2N5457≈−2.5V）
mA（查手册，如 2N5457≈3mA）
计算结果仅供参考
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