一，热阻 硅材料：硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.21电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350平方厘米/伏 .秒，空穴迁移率为480平方厘米/伏 .秒。本征电阻率在室温(300K...

本计算器用于恒压涓流充电器.对于锂锰电池(ML)，最大充/放电次数(电池寿命)受放电深度(DoD)的影响。计算器在给定放电深度的前提下可以估算ML电池的寿命，计算器利用一个估计的电池负载确定电池相对于...

1．总电量=各串联电容器之电量, 即 QT=Q1=Q2=Q3.... 2．总电压=各串联电容器电压和, 即 E=V1+V2+V3.... 3．总电容量的倒数=各串联电容量倒数和, 即  1 / CT ...

时间常数表示过渡反应的时间过程的常数。在电阻、电容的电路中，它是电阻和电容的乘积。生物膜可以用电容为C和电阻为R的并联等效电路来表示，因而时间常数就是CR，若C的单位是μF（微法），R的单位是MΩ（兆...

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超级电容工作时间计算超级电容（法拉电容/EDLC）具有超大电容量，广泛应用于备用电源和能量回收系统。其工作时间取决于放电模式。一、超级电容储能公式$E = \dfrac{1}{2}CV^2$$C$ 为...

稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压...

Equations:  IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2  RS= VRS/IDS VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off...

DC-DC电路计算DC-DC变换器是开关电源的核心，通过控制开关管的导通与关断实现电压变换。三种基本拓扑：Buck（降压）、Boost（升压）、Buck-Boost（升降压）。一、Buck降压变换器占...