三极管的封装
近年来生产的小、中功率管多采用塑料封装；中功率管带有散热片，大功率三极管多采用金属封装，通常做成螺栓形状，便于散热。
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三极管的结构
三极管的核心是两个互相联系的PN结，按两个PN结的组合方式不同，可分为NPN型和PNP型两类。
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三极管的分类
按半导体制造材料可分为
硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在自动控制设备中常用硅管。
按三极管内部基本结构可分为
NPN型和PNP型两类。目前我国制造的硅管多为NPN型(也有少量PNP型)，锗管多为PNP型。
按工作频率可分为
高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作频率在3MHz以下为低频管。
按功率可分为
小功率管和大功率管。耗散功率小于1W为小功率管，耗散功率大于1W为大功率管。
按用途可分为
普通放大三极管和开关三极管等。
三极管的放大作用
1．三极管放大条件
发射结加正向电压，集电结加反向电压。
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2．三极管的电流放大作用
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放大电路的连接方式
在实际放大电路中，除了共发射极联接方式外，还有共集电极和共基极联接方式。
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三极管的特性曲线
1．输入特性曲线
输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线，它是在输出电压VCE为定值时，iB与vBE对应关系的曲线。
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当输入电压vBE较小时，基极电流iB很小，通常近似为零。
当vBE大于三极管的死区电压vth后，iC开始上升。
三极管正常导通时，硅管VBE约为0.7V，锗管约为0.3V，此时的VBE值称为三极管工作时的发射结正向压降。
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（1）截止区
习惯把IB=0曲线以下的区域称为截止区，三极管处于截止状态，相当于三极管内部各极开路。在截止区，三极管发射结反偏或零偏，集电结反偏。
（2）放大区
它是三极管发射结正偏、集电结反偏时的工作区域。最主要特点是IC受IB控制，具有电流放大作用。
（3）饱和区
当VCE小于VBE时，三极管的发射结和集电结都处于正偏，此时IC已不再受IB控制。此时管子的集电极—发射极间呈现低电阻，相当于开关闭合。
三极管的型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。
第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极性。
A——PNP锗材料
B——NPN锗材料
C——PNP硅材料
D——NPN硅材料。
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管
G——高频小功率管
D——低频大功率管
A ——高频大功率管。
第四部分用数字表示器件的序号。
第五部分用拼音字母表示规格号。
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常用三极管主要参数
常用三极管主要参数可从晶体管器件手册上查阅，下表是90系列三极管的部分参数。
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三极管的结构与符号
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